9I果冻制作厂

25 GHz，使用专有的 200 GHz fT 磷化铟集成电路工艺和背面接地过孔以及创新的厚膜技术。

30 GHz，采用专有的 200 GHz fT 磷化铟 IC 制程、背面接地过孔和全新厚膜技术。

10:1，1.5 GHz，1.3 米，轻松探测密集分布的 IC 元器件。

100:1，1.5 MHz，1.3 米，轻松探测密集分布的 IC 元器件，以及在高速应用中更准确地测量快速边沿。